手机版 | 登陆 | 注册 | 留言 | 设首页 | 加收藏
当前位置: 网站首页 > 杂七杂八 > 科技前沿 > 文章 当前位置: 科技前沿 > 文章

三星明年完成3nm GAA工艺开发 性能大涨35%

时间:2019-09-10    点击: 次    网址:www.maiwen.net    作者:麦文网    来源:网络转载 - 小 + 大

尽管日本严格管制半导体材料多少都会影响三星的芯片、面板研发、生产,但是上周三星依然在日本举行了三星晶圆代工论坛SFF会议,公布了旗下新一代工艺的进展,其中3nm工艺明年就完成开发了。

三星在10nm、7nm及5nm节点的进度都会比台积电要晚一些,导致台积电几乎包揽了目前的7nm芯片订单,三星只抢到IBM、NVIDIA及高通部分订单。不过三星已经把目标放在了未来的3nm工艺上,预计2021年量产。

在3nm节点,三星将从FinFET晶体管转向GAA环绕栅极晶体管工艺,其中3nm工艺使用的是第一代GAA晶体管,官方称之为3GAE工艺。

根据官方所说,基于全新的GAA晶体管结构,三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

此外,MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备,从而加速工艺开发及生产。

在这次的日本SFF会议上,三星还公布了3nm工艺的具体指标,与现在的7nm工艺相比,3nm工艺可将核心面积减少45%,功耗降低50%,性能提升35%。

在工艺进度上,三星今年4月份已经在韩国华城的S3 Line工厂生产7nm芯片,今年内完成4nm工艺开发,2020年完成3nm工艺开发。

上一篇:阿里巴巴公布“新六脉神剑”:因为信任 所以简单

下一篇:谷歌宣布Grow with Google成长计划进入中国

麦文网 - 文章版权1、本文章所有言论和图片纯属会员个人意见,与本网站立场无关
2、本站所有文章由该作者发表,该文章作者与麦文网享有文章相关版权
3、其他单位或个人使用、转载或引用本文时必须同时征得该帖子作者和麦文网的同意
4、文章作者须承担一切因本文发表而直接或间接导致的民事或刑事法律责任
5、文章部分内容转载自其它媒体,但并不代表本站赞同其观点和对其真实性负责
6、如本帖侵犯到任何版权问题,请立即告知本站,本站将及时予与删除并致以最深的歉意
7、麦文网管理员和巡查有权不事先通知发文章者而删除本文 联系邮箱:910144732@qq.com
陕ICP备13000724号-2  |   QQ:910144732  |  网址: www.MaiWen.net  |  QQ群:109056065  |